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ISSN: 2333-9721
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半导体学报 1987

Pd在P-Si中的物理行为

周洁,阮圣央,郝灴,葛惟锟,吉秀江,李树英

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Abstract:

本文详尽地报道了Pd在P-Si中的物理行为,并对它的两个主要能级H(0.16) 和H(0.33)的本质作了初步鉴别.

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