%0 Journal Article
%T Pd在P-Si中的物理行为
%A 周洁
%A 阮圣央
%A 郝灴
%A 葛惟锟
%A 吉秀江
%A 李树英
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文详尽地报道了Pd在P-Si中的物理行为,并对它的两个主要能级H(0.16) 和H(0.33)的本质作了初步鉴别.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A15C5F00CFD920FB&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=7737D2F848706113&eid=0C3F9E980968AF79&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0