LEC掺In-GaAs单晶中的一种新型缺陷

在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿<110>方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术(SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM)并结合X射线形貌术(XRT)对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研究.对其成因提出了一种初步的解释:这种缺陷的形成与组分过冷时的胞状生长有关,而且是连续固溶体系统(如In_xGa_(1-x)As)所特有的.