%0 Journal Article
%T LEC掺In-GaAs单晶中的一种新型缺陷
%A 何晖
%A 褚一鸣
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 在LEC掺In-GaAs单晶中发现一种沿<110>方向的局部富In的位错密集区.用多种电子显微技术(SEM-CL、EPMA、CTEM和HREM)并结合X射线形貌术(XRT)对这种缺陷的晶体学和化学性质进行了研究.对其成因提出了一种初步的解释:这种缺陷的形成与组分过冷时的胞状生长有关,而且是连续固溶体系统(如In_xGa_(1-x)As)所特有的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19A5D07F091554DA8D91F43A264B1721&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=4B168891B5E5FB30&eid=3622B70F9C54A9CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0