A Transparent PN Junction Based on Tin-antimony Oxide Films
一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果，当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时，TAO薄膜是p型导电的，在此范围之外，TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结，其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜， p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO），p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明，由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度，上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.