%0 Journal Article
%T A Transparent PN Junction Based on Tin-antimony Oxide Films<br>一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性
%A JI Zhen-Guo
%A ZHOU Rong-Fu
%A MAO Qi-Nan
%A HUO Li-Juan
%A CAO Hong
%A <br>季振国
%J 无机材料学报
%D 2009
%I Science Press
%X 利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果，当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时，TAO薄膜是p型导电的，在此范围之外，TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结，其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜， p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO），p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明，由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度，上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
%K transparent semiconductive films
%K antimony-tin oxide
%K PN junction<br>透明半导体薄膜
%K 锡锑氧化物
%K PN结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=11A985404833CA8FFDD1474DB3E69CF5&yid=DE12191FBD62783C&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=B31275AF3241DB2D&sid=BE411C407DAF4824&eid=D45398EB9ED445AA&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=23