Electrodeposition and Characterization of Cu2O Thin Films on Transparent Conducting Glass
导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征

研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为，讨论了一些工艺因素对在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响，并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征．得到的较佳工艺条件为：电势-0．22～-0．45V(vs SCE)，温度为60℃，pH值为5．5～6．0，(CH3COO)2Cu浓度为0．015—0．04mol／L．表征结果发现，随池温的升高，晶粒尺寸从0.2μm增加到0．4μm，60。C沉积的Cu2O薄膜开始具有(111)面择优取向，Cu2O膜纯度高，薄膜表面呈网络多孔结构