Temperature Dependence of β-SiC Thin Films Epitaxial Grown on Si Substrates
硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

采用常压化学气相淀积工艺在１０００－１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长。实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好，但同时单晶生长速率却而有所下降。