%0 Journal Article
%T Temperature Dependence of β-SiC Thin Films Epitaxial Grown on Si Substrates<br>硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究
%A JIA Hu-Jun
%A YANG Yin-Tang
%A ZHU Zuo-Yun
%A LI Yue-Jin
%A <br>贾护军
%A 杨银堂
%A 朱作云
%A 李跃进
%J 无机材料学报
%D 2000
%I Science Press
%X 采用常压化学气相淀积工艺在１０００－１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长。实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好，但同时单晶生长速率却而有所下降。
%K 外延生长
%K SiC薄膜
%K 淀积温度
%K 结晶度
%K 硅基
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=64FA43213316A228&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=6DE26652A1045643&eid=58F693790F887B3B&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=8&reference_num=16