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无机材料学报 2005
Growth Characteristics of Chemical Vapor Deposited SiC Coatings
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Abstract:
以高纯石墨为沉积基体，MTS为先驱体原料，在负压条件下沉积了CVDSiC涂层．利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征，SiC涂层表面呈菱柱状，(111)面为择优取向面．利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行了研究，得出CVD SiC涂层生长过程如下：SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长的；随后经历一段取向淘汰及调整的过程后，开始(111)晶面的生长．
