%0 Journal Article
%T Growth Characteristics of Chemical Vapor Deposited SiC Coatings<br>化学气相沉积SiC涂层生长过程分析
%A LIU Rong-Jun
%A ZHANG Chang-Rui
%A ZHOU Xin-Gui
%A CAO Ying-Bin
%A <br>刘荣军
%A 张长瑞
%A 周新贵
%A 曹英斌
%J 无机材料学报
%D 2005
%I Science Press
%X 以高纯石墨为沉积基体，MTS为先驱体原料，在负压条件下沉积了CVDSiC涂层．利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征，SiC涂层表面呈菱柱状，(111)面为择优取向面．利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行了研究，得出CVD SiC涂层生长过程如下：SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长的；随后经历一段取向淘汰及调整的过程后，开始(111)晶面的生长．
%K chemical vapor deposition
%K SiC
%K crystal growth
%K coatings
%K HRTEM<br>化学气相沉积
%K SiC
%K 晶体生长
%K 涂层
%K HRTEM
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=38CAD93B62D2E2F8&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=A04140E723CB732E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F10601728A1E9BEA&eid=9BA67A0B76A3DBA8&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=2&reference_num=11