Effects of Raw Materials on the Growth of Silicon Carbide Single Crystal
原料对碳化硅单晶生长的影响

研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响．实验发现，在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si／C摩尔比的最大值．晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si／C=1摩尔比有关，并通过电子探针得到证实．