%0 Journal Article
%T Effects of Raw Materials on the Growth of Silicon Carbide Single Crystal<br>原料对碳化硅单晶生长的影响
%A CHEN Zhi-Zhan
%A SHI Er-Wei
%A XIAO Bing
%A ZHUANG Ji-Yong
%A <br>陈之战
%A 施尔畏
%A 肖兵
%A 庄击勇
%J 无机材料学报
%D 2003
%I Science Press
%X 研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响．实验发现，在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si／C摩尔比的最大值．晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si／C=1摩尔比有关，并通过电子探针得到证实．
%K SiC raw materials
%K SiC single crystals
%K phase transition
%K Si/C ratio
%K pinhole<br>碳化硅原料
%K 碳化硅单晶
%K 相转变
%K Si／C摩尔比
%K 针孔
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=AA741425DB2240CA&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=8CC50269EED5BB47&eid=6EDA906E07280FB0&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=15