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无机材料学报 2006
Growth and Defect of DKDP Crystal at Different Supersaturation
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Abstract:
过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素．本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75％的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试．研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷．实验证明，DKDP晶体可以在〈4℃的过饱和度下实现快速生长，但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加．
