%0 Journal Article
%T Growth and Defect of DKDP Crystal at Different Supersaturation<br>不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究
%A WANG Bo
%A FANG Chang-Shui
%A SUN Xun
%A WANG Sheng-Lai
%A GU Qing-Tian
%A LI Yi-Ping
%A <br>王 波
%A 房昌水
%A 孙 洵
%A 王圣来
%A 顾庆天
%A 李毅平
%J 无机材料学报
%D 2006
%I Science Press
%X 过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素．本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75％的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试．研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷．实验证明，DKDP晶体可以在〈4℃的过饱和度下实现快速生长，但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加．
%K DKDP crystal
%K supersaturation
%K crystal growth
%K defect<br>DKDP晶体
%K 过饱和度
%K 晶体生长
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=12AE2A078646863C&yid=37904DC365DD7266&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=1EA033F7E0CC5F25&eid=33C2C2DAF31F219B&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=7