Characterization of Fluorine and Carbon-Doped Silicon Oxide Film Deposited by PECVD
PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

以正硅酸乙酯（TEOS）和八氟环丁烷（C4F8）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（SiCOF)。样品的X射线光电子能谱（XPS）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）分析表明薄膜中含有Si-F,Si-O,C-F,C-CFx,CF2等构型，刚淀积的薄膜的折射率约为1．40，对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量，并对其变化机理进行了讨论，同时表明了理想的沉积温度应是300℃。