%0 Journal Article
%T Characterization of Fluorine and Carbon-Doped Silicon Oxide Film Deposited by PECVD<br>PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征
%A DING Shi-Jin
%A ZHANG Qing-Quan
%A ZHANG Wei
%A WANG Ji-Tao
%A <br>丁士进
%A 张庆全
%A 张卫
%A 王季陶
%J 无机材料学报
%D 2001
%I Science Press
%X 以正硅酸乙酯（TEOS）和八氟环丁烷（C4F8）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（SiCOF)。样品的X射线光电子能谱（XPS）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）分析表明薄膜中含有Si-F,Si-O,C-F,C-CFx,CF2等构型，刚淀积的薄膜的折射率约为1．40，对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量，并对其变化机理进行了讨论，同时表明了理想的沉积温度应是300℃。
%K PECVD
%K SiCOF film
%K XPS
%K FTIR
%K refractive index<br>等离子体增强化学气相淀积
%K 氟
%K 碳
%K 掺杂
%K 氧化硅薄膜
%K X射线光电子能谱
%K FTIR
%K 折射率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=AADBFD31FAC040C3&yid=14E7EF987E4155E6&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=827D3389B7A27A64&eid=778972EBEFCE1267&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=26