Silicon Carbon Nitride Films Grown by Hot-Filament Chemical Vapor Deposition
热丝CVD生长SiCN薄膜的研究

在HFCVD系统中采用SiH4／CH4／H2／N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜。SEM照片显示制备的SiCN薄膜由捧状结构构成，而在HRTEM下发现这些捧状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的，进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-SiaN4的结构。XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si—N和C—N等共价键，但是并没有观察到C—Si的存在。由实验得出结论，SiCN晶体的生长包括两个步骤：α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程。