%0 Journal Article
%T Silicon Carbon Nitride Films Grown by Hot-Filament Chemical Vapor Deposition<br>热丝CVD生长SiCN薄膜的研究
%A NIU Xiao-Bin
%A LIAO Yuan
%A CHANG Chao
%A YU Qing-Xuan
%A FANG Rong-Chuan
%A <br>牛晓滨
%A 廖源
%A 常超
%A 余庆选
%A 方容川
%J 无机材料学报
%D 2004
%I Science Press
%X 在HFCVD系统中采用SiH4／CH4／H2／N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜。SEM照片显示制备的SiCN薄膜由捧状结构构成，而在HRTEM下发现这些捧状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的，进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-SiaN4的结构。XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si—N和C—N等共价键，但是并没有观察到C—Si的存在。由实验得出结论，SiCN晶体的生长包括两个步骤：α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程。
%K HFCVD
%K SiCN薄膜
%K α-Si3N4
%K 化学气相沉积
%K 纳米晶粒
%K 薄膜生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=D9EB1CC755F81A96&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=21D8CE17EE5EE354&eid=1E9426A299DC9FFD&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=3&reference_num=25