Oxidation of SiC and Its Effect on the Interface Stability of SiC/Fe
SiC表面氧化及其对SiC/Fe界面稳定性的影响

Keywords: sintered SiC,passive oxidation,interface stability,reaction barrier
界面稳定性,反应阻挡层,碳化硅陶瓷,铁基复合材料,表面氧化,氧化膜

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Abstract:

烧结致密的α-SiC在静态空气气氛中经1200℃×10h氧化,在其表面形成一层致密的氧化膜,该层氧化膜具有β-方石英晶体结构.氧化膜的生长由O

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