%0 Journal Article
%T Oxidation of SiC and Its Effect on the Interface Stability of SiC/Fe<br>SiC表面氧化及其对SiC/Fe界面稳定性的影响
%A TANG Wen-Ming
%A ZHENG Zhi-Xiang
%A DING Hou-Fu
%A JIN Zhi-Hao
%A <br>汤文明
%A 郑治祥
%A 丁厚福
%A 金志浩
%J 无机材料学报
%D 2001
%I Science Press
%X 烧结致密的α-SiC在静态空气气氛中经1200℃×10h氧化,在其表面形成一层致密的氧化膜,该层氧化膜具有β-方石英晶体结构.氧化膜的生长由O
%K sintered SiC
%K passive oxidation
%K interface stability
%K reaction barrier<br>界面稳定性
%K 反应阻挡层
%K 碳化硅陶瓷
%K 铁基复合材料
%K 表面氧化
%K 氧化膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=D6268552DAA78B32&yid=14E7EF987E4155E6&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F50A8B5513721E1C&eid=D0182A31A5EB14BA&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=3&reference_num=25