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无机材料学报 2000
Bonding Mechanism of Direct Bond Copper to Alumina Substrate
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Abstract:
本文采用直接敷铜工艺，１０７０℃流动氮气氛下保温３ｈ制得当了强度达１１．５ｋｇ／ｃｍ＾２的直接铜ＡＩ２Ｏ３基板。介面产物ＣｕＡＩＯ２的形成是获得较高结合强度的关键，敷接温度下，在界面上产生了能很好润湿ＡＩ２Ｏ３表面的Ｃｕ〖Ｏ〗共晶液体，并反应生连续的ＣｕＡｌＯ２层降温时，共晶液体从Ｃｕ侧开始固化并淀析出ＣｕＯ２颗９粒，当固化前沿与ＣｕＡｌＯ２层相遇时，液相参与的界面反应停止，冷却至室温，即可获得Ｃ
