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无机材料学报 2007
Effects of Substrate Temperature on Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Thin Films by MBE on Si(111) Substrate
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Abstract:
利用固源分子束外延（SSMBE）技术，在Si（111）衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜，通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响．研究结果表明，1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性．在更高的衬底温度下生长，会导致大的孔洞形成，衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错，从而使晶体质量变差．在低衬底温度下生长，由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低．
