%0 Journal Article
%T Effects of Substrate Temperature on Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Thin Films by MBE on Si(111) Substrate<br>衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
%A LIU Jin-Feng
%A LIU Zhong-Liang
%A WU Yu-Yu
%A XU Peng-Shou
%A TANG Hong-Gao
%A <br>刘金锋
%A 刘忠良
%A 武煜宇
%A 徐彭寿
%A 汤洪高
%J 无机材料学报
%D 2007
%I Science Press
%X 利用固源分子束外延（SSMBE）技术，在Si（111）衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜，通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响．研究结果表明，1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性．在更高的衬底温度下生长，会导致大的孔洞形成，衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错，从而使晶体质量变差．在低衬底温度下生长，由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低．
%K SiC thin films
%K Si substrate
%K solid source molecular beam epitaxy
%K substrate temperature<br>碳化硅薄膜
%K 硅衬底
%K 固源分子束外延
%K 衬底温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=41AF792C641838E3&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=2A92ABD90588B251&eid=94655B9881133A28&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=22