Epitaxial Growth and Phase Transition Properties of Vanadium DioxideThin Film on Sapphire Substrate
二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究

Keywords: VO2,phase transition,pole figure,epitaxy
二氧化钒,相变,极图,外延生长,薄膜,半导体,衬底

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Abstract:

利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜。结果表明：在衬底温度为５００℃，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在α－Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长。薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还和衬底的取向密切相关。

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