%0 Journal Article
%T Epitaxial Growth and Phase Transition Properties of Vanadium DioxideThin Film on Sapphire Substrate<br>二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究
%A WU Zhao-Ping
%A FANG Ping-An
%A <br>吴召平
%A 方平安
%J 无机材料学报
%D 1999
%I Science Press
%X 利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜。结果表明：在衬底温度为５００℃，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在α－Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长。薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还和衬底的取向密切相关。
%K VO2
%K phase transition
%K pole figure
%K epitaxy<br>二氧化钒
%K 相变
%K 极图
%K 外延生长
%K 薄膜
%K 半导体
%K 衬底
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=894D70E4A6F117E7F9B4D6BCDFFBFAB4&yid=B914830F5B1D1078&vid=F3583C8E78166B9E&iid=94C357A881DFC066&sid=CE504F5B1E192581&eid=AC3946AB81989513&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=10