|
无机材料学报 2006
Preparation of Li-N-H Codoped p-type ZnO Films
|
Abstract:
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm~2/(V·s),空穴浓度为4.92×10~(17)/cm~3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.