%0 Journal Article
%T Preparation of Li-N-H Codoped p-type ZnO Films<br>Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜
%A LU Yang-Fan
%A YE Zhi-Zhen
%A ZENG Yu-Jia
%A CHEN Lan-Lan
%A ZHU Li-Ping
%A ZHAO Bing-Hui
%A <br>卢洋藩
%A 叶志镇
%A 曾昱嘉
%A 陈兰兰
%A 朱丽萍
%A 赵炳辉
%J 无机材料学报
%D 2006
%I Science Press
%X 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm~2/(V·s),空穴浓度为4．92×10~(17)/cm~3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率．
%K p-ZnO<br>磁控溅射
%K 共掺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=BB4F8745A34BC5CB&yid=37904DC365DD7266&vid=659D3B06EBF534A7&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3DB657DD5E356007&eid=B7C6D333F9B9ED14&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=17