Low-T Sintering, Low-Dielectric Materials for High Frequency Multilayer Chip Inductors
一种低烧、低介、高频多层片式电感用的介质材料

利用复合结构原理,研制出“硼硅玻璃＋α－石英＋硅酸锌”系低烧低介陶瓷材料,利用ＸＲＤ、ＨＰ４１９４频谱仪、ＳＥＭ分析了该材料的晶相组成、介电性能及显微结构．结果表明:在高频下,该材料具有很低的介电常数(Ｋ＝４~５,１ＭＨｚ)和很低的介电损耗(ｔａｎδ＜０．００１,１ＭＨｚ);同时能在低于９００℃温度下烧结．该材料是一种理想的适用于高频(１ＧＨｚ以上)多层片式电感(ＭＬＣＩｓ)元件用的介质材料．同时得出:在该组成中,硼硅玻璃重烧结的过程中有方石英析出;少量硅酸锌由于锌离子进入玻璃中而转变为亚硅酸锌;硅酸锌在该组成中有助烧结的作用,该材料介电性能随频率的变化与德拜方程的描述基本吻合．