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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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γ-LiAlO2 Layer on (0001) Sapphire Fabricated by Vapor Transport Equilibration
用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜

Keywords: GaN,气相传输平衡技术(VTE),γ-LiAlO2,蓝宝石

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Abstract:

利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度100]取向的γ-LiAlO2薄膜.X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成,此薄膜经850~900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的100]取向,这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底.

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