Sinterability, Microstructure and Microwave Dielectric Properties ofBa(Mg_(1/3) Ta_[(2/3)(1 x)] O_3
Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能

本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究．发现：（1）位Ta过量可促进BMT的烧结，而Ta缺量则阻碍其烧结．（2）B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关，而且还同其缺陷类型有关．B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高．（3）BMT样品的Q．f值随Ta过量的增加而降低．相对介电常数则随之增加．