%0 Journal Article
%T Sinterability, Microstructure and Microwave Dielectric Properties ofBa(Mg_(1/3) Ta_[(2/3)(1 x)] O_3<br>Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能
%A BIAN Jian-Jiang
%A ZHAO Mei--Yu
%A YAO Yao
%A YIN Zhi-Wen
%A <br>卞建江
%A 赵梅瑜
%A 姚尧
%A 殷之文
%J 无机材料学报
%D 1998
%I Science Press
%X 本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究．发现：（1）位Ta过量可促进BMT的烧结，而Ta缺量则阻碍其烧结．（2）B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关，而且还同其缺陷类型有关．B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高．（3）BMT样品的Q．f值随Ta过量的增加而降低．相对介电常数则随之增加．
%K B-site nonstoichiometry
%K sintering
%K microstructure
%K microwave dielectric properties<br>B位非化学计量比
%K 烧结
%K 微观结构
%K 微波介电性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=EB290F7852E805ED20A1434EF1156449&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=CE16DE2ABCD4D365&eid=849A5A9D85EBE6D4&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=12