Theoretical research of TiO2 adsorption on GaN(0001) surface
TiO2分子在GaN（0001）表面吸附的理论研究

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN（0001）表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置.计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.932—7.943eV,O—O连线与GaN110]方向平行,与实验观测（100）001]TiO2//（0001）110]GaN一致.通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.