%0 Journal Article
%T Theoretical research of TiO2 adsorption on GaN(0001) surface<br>TiO2分子在GaN（0001）表面吸附的理论研究
%A Huang Ping
%A Yang Chun
%A <br>黄平
%A 杨春
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN（0001）表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置.计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.932—7.943eV,O—O连线与GaN110]方向平行,与实验观测（100）001]TiO2//（0001）110]GaN一致.通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.
%K GaN (0001) surface
%K TiO2molecule
%K DFT
%K adsorption<br>GaN(0001)表面
%K TiO2分子
%K 密度泛函理论
%K 吸附
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F437B1BF01E7F4864978CAC64ACFAE18&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=A709B593ADAE18EF&eid=A709B593ADAE18EF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=19