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物理学报 2011
Structural and optical properties of a-Si:H/SiO_2 multiple quantum wells
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Abstract:
利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si ∶H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si ∶H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其中样品经1100 ℃高温退火可获得尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子点超晶格结构,其尺寸与非晶硅子层厚度相当.比较了a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料与相同制备工艺条件下a-Si ∶H材料的吸收系数,在紫外/可见短波段前者的吸收系数明显增大,光学吸收边蓝移,说明该材料
