%0 Journal Article
%T Structural and optical properties of a-Si:H/SiO_2 multiple quantum wells<br>a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究
%A Ma Xiao-Feng
%A Wang Yi-Zhe
%A Zhou Cheng-Yue
%A <br>马小凤
%A 王懿喆
%A 周呈悦
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si ∶H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si ∶H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其中样品经1100 ℃高温退火可获得尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子点超晶格结构,其尺寸与非晶硅子层厚度相当.比较了a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料与相同制备工艺条件下a-Si ∶H材料的吸收系数,在紫外/可见短波段前者的吸收系数明显增大,光学吸收边蓝移,说明该材料
%K multiple quantum wells
%K quantum confinement effect
%K optical absorption
%K energy band structure<br>多量子阱
%K 量子限制效应
%K 光学吸收
%K 能带结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E13A5442FC2870778AA838E2BAFA5935&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D25560D0213C98A3&eid=D25560D0213C98A3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11