|
|
物理学报 2010
Controlled growth of silicon nanowires by solid-liquid-solid method and their formation mechanism
|
Abstract:
以Au膜作为金属催化剂，直接从n-（111）Si单晶衬底上制备了直径为30—60 nm和长度从几微米到几十微米的高质量Si纳米线.实验研究了Au膜层厚、退火温度、N2气流量和生长时间对Si纳米线形成的影响.结果表明，通过合理选择和优化组合上述各种工艺条件，可以实现直径、长度、形状和取向可控的纳米线生长.基于固-液-固生长机理，定性阐述了Si纳米线的形成过程.
