Effects of p-seeding layer on the performance of microcrystalline silicon solar cells deposited in single chamber
p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响

采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时，硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术，即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层，初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明：采用此方法能改善p/i界面特性，提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染，有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后，通过优化沉积条件，制备得到光电转换效率为881%（1 cm