%0 Journal Article
%T Effects of p-seeding layer on the performance of microcrystalline silicon solar cells deposited in single chamber<br>p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响
%A Wang Guang-Hong
%A Zhang Xiao-Dan
%A Xu Sheng-Zhi
%A Sun Fu-He
%A Yue Qiang
%A Wei Chang-Chun
%A Sun Jian
%A Geng Xin-Hu
%A Xiong Shao-Zhen
%A Zhao Ying
%A <br>王光红
%A 张晓丹
%A 许盛之
%A 孙福河
%A 岳强
%A 魏长春
%A 孙建
%A 耿新华
%A 熊绍珍
%A 赵颖
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时，硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术，即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层，初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明：采用此方法能改善p/i界面特性，提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染，有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后，通过优化沉积条件，制备得到光电转换效率为881%（1 cm
%K 单室，
%K 甚高频等离子体增强化学气相沉积，
%K 微晶硅太阳电池，
%K p种子层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FDE072F1E89DBEF70E507CB161F2C208&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=F0A8E519643E9C7C&eid=73A1134C8C5D269E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0