Study of structure and properties of Ba0.7Sr0.3TiO3 thin film with prefer-orientated MgO buffer layer on the silicon substrate
择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si（001）单晶衬底上制备出（111）和（001）取向的MgO缓冲层薄膜，随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3（BST30）铁电薄膜.通过X射线衍射，扫描电子显微镜，原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现，在较厚的MgO（001）缓冲层上可长出（101）取向的BST30薄膜，而在较薄的MgO（111） 缓冲层上则表现出（101）和（111）取向相互竞争的现象，随着MgO（111）缓冲