%0 Journal Article
%T Study of structure and properties of Ba0.7Sr0.3TiO3 thin film with prefer-orientated MgO buffer layer on the silicon substrate<br>择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究
%A Yin Yi
%A Fu Xing-Hai
%A Zhang Lei
%A Ye Hui
%A <br>尹伊
%A 傅兴海
%A 张磊
%A 叶辉
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si（001）单晶衬底上制备出（111）和（001）取向的MgO缓冲层薄膜，随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3（BST30）铁电薄膜.通过X射线衍射，扫描电子显微镜，原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现，在较厚的MgO（001）缓冲层上可长出（101）取向的BST30薄膜，而在较薄的MgO（111） 缓冲层上则表现出（101）和（111）取向相互竞争的现象，随着MgO（111）缓冲
%K Ba0.7Sr0.3TiO3，
%K 铁电薄膜，
%K 择优取向，
%K sol-gel
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E9BA28DC1F73EFD0E4686BB78C70123E&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=919820FAFD59AB35&eid=3A947D7D2108978C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0