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物理学报 2009
Analysis of degradation mechanism of GaN blue light emitting diode by the characteristics of capacitance and conductance
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Abstract:
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管（LED）的电容-电压特性，结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压，老化之后样管的受主浓度降低，辐射复合概率下降，大量缺陷以及非辐射复合中心出现，对载流子俘获作用增强，造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下，隧穿效应导致老化之后样管的电导增大；正向偏压大于2.2 V区域，考虑串联电阻效应，老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上，通过实验论证以及理论解释表明，负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.
