%0 Journal Article
%T Analysis of degradation mechanism of GaN blue light emitting diode by the characteristics of capacitance and conductance<br>基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理
%A 陈焕庭
%A 吕毅军
%A 陈忠
%A 张海兵
%A 高玉琳
%A 陈国龙
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管（LED）的电容-电压特性，结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压，老化之后样管的受主浓度降低，辐射复合概率下降，大量缺陷以及非辐射复合中心出现，对载流子俘获作用增强，造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下，隧穿效应导致老化之后样管的电导增大；正向偏压大于2.2 V区域，考虑串联电阻效应，老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上，通过实验论证以及理论解释表明，负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.
%K GaN发光二极管，负电容，电导，老化机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F2A7B9264A60BE99ABF2A571CDF13083&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=1C39982DD18C792C&eid=905038100CAAF5DA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0