The theory of physical doping in organic semiconductor
有机半导体的物理掺杂理论

基于最低未被占据分子轨道（LUMO）和最高被占据分子轨道（HOMO）的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克（Fermi-Dirac）分布，提出有机半导体中物理掺杂的理论模型；研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响，并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂，温度升高时，有机半导体中的载流子浓度都会增大，并且随温度倒数的线性减小而指数增大；对于本征有机半导体，载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降，随高斯分布宽度的平方指数增加；对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载