%0 Journal Article
%T The theory of physical doping in organic semiconductor<br>有机半导体的物理掺杂理论
%A Wang Run-Sheng
%A Meng Wei-Min
%A Peng Ying-Quan
%A Ma Chao-Zhu
%A Li Rong-Hu
%A Xie Hong-Wei
%A Wang Ying
%A Zhao Ming
%A Yuan Jian-Ting
%A <br>汪润生
%A 孟卫民
%A 彭应全
%A 马朝柱
%A 李荣华
%A 谢宏伟
%A 王颖
%A 赵明
%A 袁建挺
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 基于最低未被占据分子轨道（LUMO）和最高被占据分子轨道（HOMO）的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克（Fermi-Dirac）分布，提出有机半导体中物理掺杂的理论模型；研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响，并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂，温度升高时，有机半导体中的载流子浓度都会增大，并且随温度倒数的线性减小而指数增大；对于本征有机半导体，载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降，随高斯分布宽度的平方指数增加；对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载
%K organic semiconductors
%K doping
%K Gaussian distribution of states
%K carrier concentration<br>有机半导体，
%K 掺杂，
%K 高斯态密度，
%K 载流子浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=71CED4E5FE348ABC6F7A0A1BA1641D8A&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=708DD6B15D2464E8&sid=789E08F4BFC8E289&eid=064B0274BB5787C5&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0