Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode
负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统，给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势（NEA）特性的成因，结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型，研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明：GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性，Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型［GaN（Mg）：Cs］：O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.