%0 Journal Article
%T Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode<br>负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究
%A Qiao Jian-Liang
%A Tian Si
%A Chang Ben-Kang
%A Du Xiao-Qing
%A Gao Pin
%A <br>乔建良
%A 田思
%A 常本康
%A 杜晓晴
%A 高频
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统，给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势（NEA）特性的成因，结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型，研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明：GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性，Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型［GaN（Mg）：Cs］：O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.
%K GaN<br>负电子亲和势，
%K GaN，
%K 激活，
%K 光电流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=937D4C56DE4235A3C94E0723F12D99BA&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=2AB564CCBEFADCA5&eid=93731F027BFAB27B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0