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物理学报 2009
Characteristics of photoconductivity oscillation in semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switches
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Abstract:
用波长为532 nm、脉冲宽度为5 ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4 mm的半绝缘GaAs光电导开关，开关偏置电压从500 V开始以步长50 V逐渐增加，直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明，线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后，其后跟随几个幅值较小且具有周期性和不同程度的减幅振荡.分析了开关体内载流子（热电子）的微观状态和输运过程，在直流偏置电场作用下，开关体内的热电子在电子-电子、电子-声子相互作用过程中，当它们的弛豫时间大于载流子的寿命时, 光电子的输运可通过迁移率变化引起光电导振荡, 这是开关输出电脉冲出现振荡的原因.
