%0 Journal Article
%T Characteristics of photoconductivity oscillation in semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switches<br>半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性
%A Shi Wei
%A Xue Hong
%A Ma Xiang-Rong
%A <br>施卫
%A 薛红
%A 马湘蓉
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 用波长为532 nm、脉冲宽度为5 ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4 mm的半绝缘GaAs光电导开关，开关偏置电压从500 V开始以步长50 V逐渐增加，直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明，线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后，其后跟随几个幅值较小且具有周期性和不同程度的减幅振荡.分析了开关体内载流子（热电子）的微观状态和输运过程，在直流偏置电场作用下，开关体内的热电子在电子-电子、电子-声子相互作用过程中，当它们的弛豫时间大于载流子的寿命时, 光电子的输运可通过迁移率变化引起光电导振荡, 这是开关输出电脉冲出现振荡的原因.
%K photoconductive semiconductor switch
%K hot-electron
%K relaxation
%K photoconductivity oscillation<br>光电导开关，
%K 热电子，
%K 弛豫，
%K 光电导振荡
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=13EC53CB47A4BD35BA6A90B825630522&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3A753B449D248152&eid=84E83653DC998A22&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0