Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina
用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构

用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄（500—1000 nm）的多孔阳极氧化铝膜，贴合到硅片上进行干法刻蚀，实现图形转移，得到了硅基纳米孔阵列结构，并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜（SEM）测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序，孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光（PL）测试，结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光，并实现了显著发光增强，对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用